2、性能不同。闪存颗粒本质上是一块指甲盖大小的硅板，这个硅板被用极紫外光雕刻成数十亿个纳米级的存储单元，而新一代的TLC颗粒性能上要比MLC更为优越。
MLC是英特尔在1997年9月最先开发成功的，通过精确控制Floating Gat上的电荷数量，使其呈现出4种不同的存储状态，每种状态代表两个二进制数值(从00到11)。也就是说SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此MLC架构可以有比较好的储存密度，再加上可利用比较老旧的生产程备来提高产品的容量，而无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。不过MLC架构有着缺点，首先是使用寿命较短，MLC架构只能承受约1万次的存取，远低于SLC架构的10万次。其次就是存取速度，SLC架构比MLC架构要快速三倍以上，加上MLC架构对于电力的消耗较多。
TLC：Trinary-Level Cell，即存储器可以存放3bit数据，速度慢寿命短，价格便宜，约1000次擦写寿命。这是目前大部分固态硬盘的闪存类型。QLC：Quad-Level Cell即4bit/Cell，产品刚上市，主要是对刚机械硬盘，容量一般500GB起步，容量最大，但是寿命最短，速度也最慢，价格也比较便宜，但是产品不多。2009年TLC架构正式问世，代表1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步大幅降低。如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般，这次也是由NAND Flash大厂东芝引发战火，之后三星电子也赶紧加入战局，使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。
